成都某光电器件集成ic生产厂，晶圆制作的过程中呈现含硅、氟的异常污污废水 ，设计制作办理规模化1200吨/日。污污废水 组分繁多，包含有纳米级级硅粒状及氢佛酸，传统性办理方式方法不可合格。 废水处理工艺的成分及来源地 重要污染破坏物 ：电解质溶液硅（100-500nm比表面积）、氟亚铁离子（200-300mg/L）、异丙醇 的来源环节 ：晶圆刻蚀废气（45%）、CMP有机化学自动化仪器镜面抛光废气（40%）、仪器清洗道路水（15%） 治理施工工艺注意事项 全新进行"电学沉积+特种工艺膜分离出来"工艺规划： 钙盐沉定 ：污泥脱水氯化钙清除氟铝离子（转为CaF2沉淀物中） 水解酸化池不起作用 ：和好水解酸化池剂改变电解质溶液硅脱稳 管式微滤 ：0.1μm直径膜挤占微细颗粒剂 反渗透膜工作会更体系 ：脱盐率>98%，收集率75% 蒸发掉沉淀 ：浓水段改变氟化物临“0”排放物 之后视觉效果 氟化物溶液浓度：<8mg/L（不超过国家地区1级基准10mg/L） 硅份量：<5mg/L 有限水源英文工业废水处理率：70%采用待方形冷却塔皮肤补水 垃圾减轻药量：蒸馏食物残渣量较老式工艺设备减低60%